Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215260| Заглавие документа: | Влияние морфологии на стабильность наношнуров арсенида галлия |
| Другое заглавие: | Effects of morphology on stability of gallium arsenide / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas |
| Авторы: | Холяво, И. И. Хомец, А. Л. Сафронов, И. В. Мигас, Д. Б. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2018 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 313-317. |
| Аннотация: | В данной работе исследовалось влияние морфологии на стабильность GaAs-наношнуров со структурами цинковой обманки (В3) и вюрцита (В4) в диапазоне размеров ~1−45 нм с помощью метода молекулярной статики, реализованного в пакете LAMMPS. Для оценки структурной стабильности наношнуров находилась величина, равная разности полных энергий кристалла и наношнуров, приведенных на формульную единицу (FU = Ga+As). Результаты исследований показывают, что наношнуры со структурой вюрцита с морфологией типа I-В4 (большая грань {011} и малая грань {112}), являются наиболее стабильными из всех предложенных. |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper we present our results as obtained by molecular dynamics simulations (the code LAMMPS) on effects of morphology on stability of GaAs nanowires. GaAs nanowires with the experimentally observed <111> orientations, both in the zinc-blende (denoted as В3) and wurtzite (denoted as В4) structures and having diameters of 1–45 nm have been considered. It is found that wurtzite GaAs nanowires with large {011} and small {112} facets on the surface are the most stable. |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215260 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 313-317.pdf | 1,91 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.