Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215260
Title: Влияние морфологии на стабильность наношнуров арсенида галлия
Other Titles: Effects of morphology on stability of gallium arsenide / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas
Authors: Холяво, И. И.
Хомец, А. Л.
Сафронов, И. В.
Мигас, Д. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2018
Publisher: Минск : БГУ
Citation: Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 313-317.
Abstract: В данной работе исследовалось влияние морфологии на стабильность GaAs-наношнуров со структурами цинковой обманки (В3) и вюрцита (В4) в диапазоне размеров ~1−45 нм с помощью метода молекулярной статики, реализованного в пакете LAMMPS. Для оценки структурной стабильности наношнуров находилась величина, равная разности полных энергий кристалла и наношнуров, приведенных на формульную единицу (FU = Ga+As). Результаты исследований показывают, что наношнуры со структурой вюрцита с морфологией типа I-В4 (большая грань {011} и малая грань {112}), являются наиболее стабильными из всех предложенных.
Abstract (in another language): In this paper we present our results as obtained by molecular dynamics simulations (the code LAMMPS) on effects of morphology on stability of GaAs nanowires. GaAs nanowires with the experimentally observed <111> orientations, both in the zinc-blende (denoted as В3) and wurtzite (denoted as В4) structures and having diameters of 1–45 nm have been considered. It is found that wurtzite GaAs nanowires with large {011} and small {112} facets on the surface are the most stable.
Description: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215260
ISBN: 978-985-566-671-5
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
313-317.pdf1,91 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.