Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/215260
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorХоляво, И. И.
dc.contributor.authorХомец, А. Л.
dc.contributor.authorСафронов, И. В.
dc.contributor.authorМигас, Д. Б.
dc.date.accessioned2019-02-21T13:28:23Z-
dc.date.available2019-02-21T13:28:23Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 313-317.
dc.identifier.isbn978-985-566-671-5
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/215260-
dc.descriptionНанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
dc.description.abstractВ данной работе исследовалось влияние морфологии на стабильность GaAs-наношнуров со структурами цинковой обманки (В3) и вюрцита (В4) в диапазоне размеров ~1−45 нм с помощью метода молекулярной статики, реализованного в пакете LAMMPS. Для оценки структурной стабильности наношнуров находилась величина, равная разности полных энергий кристалла и наношнуров, приведенных на формульную единицу (FU = Ga+As). Результаты исследований показывают, что наношнуры со структурой вюрцита с морфологией типа I-В4 (большая грань {011} и малая грань {112}), являются наиболее стабильными из всех предложенных.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние морфологии на стабильность наношнуров арсенида галлия
dc.title.alternativeEffects of morphology on stability of gallium arsenide / I. I. Khaliava, А. L. Khomets, I. V. Safronov, D. B. Migas
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeIn this paper we present our results as obtained by molecular dynamics simulations (the code LAMMPS) on effects of morphology on stability of GaAs nanowires. GaAs nanowires with the experimentally observed <111> orientations, both in the zinc-blende (denoted as В3) and wurtzite (denoted as В4) structures and having diameters of 1–45 nm have been considered. It is found that wurtzite GaAs nanowires with large {011} and small {112} facets on the surface are the most stable.
Appears in Collections:2018. Материалы и структуры современной электроники

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
313-317.pdf1,91 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.