Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215230| Title: | Радиационно-индуцированное формирование кислородных тримеров в кремнии: данные ИК-поглощения |
| Other Titles: | Radiation-induced generation of the oxygen trimer in silicon: infra-red absorption studies / E. A. Tolkacheva, L. I. Murin |
| Authors: | Толкачева, Е. А. Мурин, Л. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 197-200. |
| Abstract: | В настоящей работе мы значительно увеличили концентрацию кислородных тримеров (O3i) в кремнии, сначала обогащая кристаллы Si комплексом вакансия-три атома кислорода (VO3), а затем облучая быстрыми электронами. Обнаружено, что в результате взаимодействия радиационно-индуцированных собственных междоузельных атомов кремния с VO3 происходит эффективная генерация комплексов, включающих три междоузельных атома кислорода. Полученные результаты дают возможность приписать кислородному тримеру три полосы локальных колебательных мод, расположенные при 537, 723 и 1020 см-1 , наряду с известной полосой у 1006 см-1 . |
| Abstract (in another language): | In the present work, we significantly increased the concentration of the O3i defect in silicon, first enriching with the vacancy-three oxygen atom complex (VO3), and then irradiating with fast electrons. It is found that an interaction of the radiation-induced Si self-interstitials with VO3 occurs, so resulting in the appearance of a complex incorporating three interstitial oxygen atoms. The results obtained give strong support for the assignment of three vibrational bands positioned at 537, 723 and 1020 cm-1 alongside with the band at 1006 cm-1 as arising from the oxygen trimer. |
| Description: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215230 |
| ISBN: | 978-985-566-671-5 |
| Appears in Collections: | 2018. Материалы и структуры современной электроники |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 197-200.pdf | 380,73 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.