Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/215230Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Толкачева, Е. А. | |
| dc.contributor.author | Мурин, Л. И. | |
| dc.date.accessioned | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-21T13:28:18Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники : материалы VIII Междунар. науч. конф., Минск, 10–12 окт. 2018 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (отв. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2018. – С. 197-200. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-566-671-5 | |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/215230 | - |
| dc.description | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках | |
| dc.description.abstract | В настоящей работе мы значительно увеличили концентрацию кислородных тримеров (O3i) в кремнии, сначала обогащая кристаллы Si комплексом вакансия-три атома кислорода (VO3), а затем облучая быстрыми электронами. Обнаружено, что в результате взаимодействия радиационно-индуцированных собственных междоузельных атомов кремния с VO3 происходит эффективная генерация комплексов, включающих три междоузельных атома кислорода. Полученные результаты дают возможность приписать кислородному тримеру три полосы локальных колебательных мод, расположенные при 537, 723 и 1020 см-1 , наряду с известной полосой у 1006 см-1 . | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Радиационно-индуцированное формирование кислородных тримеров в кремнии: данные ИК-поглощения | |
| dc.title.alternative | Radiation-induced generation of the oxygen trimer in silicon: infra-red absorption studies / E. A. Tolkacheva, L. I. Murin | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | In the present work, we significantly increased the concentration of the O3i defect in silicon, first enriching with the vacancy-three oxygen atom complex (VO3), and then irradiating with fast electrons. It is found that an interaction of the radiation-induced Si self-interstitials with VO3 occurs, so resulting in the appearance of a complex incorporating three interstitial oxygen atoms. The results obtained give strong support for the assignment of three vibrational bands positioned at 537, 723 and 1020 cm-1 alongside with the band at 1006 cm-1 as arising from the oxygen trimer. | |
| Располагается в коллекциях: | 2018. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 197-200.pdf | 380,73 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.