Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/194975| Заглавие документа: | Генерация электрон-дырочных пар в полупроводниках IV группы при электронном возбуждении |
| Авторы: | Шаршунов, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2000 |
| Издатель: | Минск : Універсітэцкае |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2000. - № 1. – С. 8-10. |
| Аннотация: | Generation of electron-hole pairs in group IV semiconductors under irradiation by electron beam is distinguished. Values of this process cross sections for diamond, silicon and germanium are obtained and analyzed in energy range 100 eV — I MeV, algorithm of this calculation is described. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/194975 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2000, №1 (январь) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.