Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/16703
Заглавие документа: | Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработке |
Авторы: | Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Вечер, Д. В. Горушко, В. А. Петлицкая, Т. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | мая-2006 |
Издатель: | БГУ |
Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 2. – С. 35-39. |
Аннотация: | A model was suggested, describing the accelerated silicon oxidation process with its rapid thermal treatment by means of the second duration pulses, taking into consideration energy 1,67 times reduction of the given process activation in the dehydrated oxygen medium as compared with the given value in the commonly accepted model of Deal - Grove. = Установлено, что процесс окисления кремния при фотонной обработке импульсами секундной длительности в парах воды происходит в соответствии с моделью Дила - Гроува с учетом временной зависимости температуры кремниевой пластины. При окислении в среде сухого кислорода на начальной стадии имеет место увеличение линейной скорости роста окисной пленки за счет уменьшения энергии активации окисления (E2=1,2 эВ). Процесс начального окисления обусловлен образованием отрицательных ионов кислорода на поверхности окисла за счет туннелирования и термоэлектронной эмиссии. Выведено аналитическое уравнение, описывающее процесс окисления кремния с использованием фотонной обработки импульсами секундной длительности. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/16703 |
ISSN: | 0321-0367 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2006, №2 (май) |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.