Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/16703
Title: | Модель термического окисления кремния при быстрой термической обработке |
Authors: | Пилипенко, В. А. Понарядов, В. В. Вечер, Д. В. Горушко, В. А. Петлицкая, Т. В. |
Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Issue Date: | May-2006 |
Publisher: | БГУ |
Citation: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2006. - № 2. – С. 35-39. |
Abstract: | A model was suggested, describing the accelerated silicon oxidation process with its rapid thermal treatment by means of the second duration pulses, taking into consideration energy 1,67 times reduction of the given process activation in the dehydrated oxygen medium as compared with the given value in the commonly accepted model of Deal - Grove. = Установлено, что процесс окисления кремния при фотонной обработке импульсами секундной длительности в парах воды происходит в соответствии с моделью Дила - Гроува с учетом временной зависимости температуры кремниевой пластины. При окислении в среде сухого кислорода на начальной стадии имеет место увеличение линейной скорости роста окисной пленки за счет уменьшения энергии активации окисления (E2=1,2 эВ). Процесс начального окисления обусловлен образованием отрицательных ионов кислорода на поверхности окисла за счет туннелирования и термоэлектронной эмиссии. Выведено аналитическое уравнение, описывающее процесс окисления кремния с использованием фотонной обработки импульсами секундной длительности. |
URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/16703 |
ISSN: | 0321-0367 |
Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Appears in Collections: | 2006, №2 (май) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.