Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/10018
Заглавие документа: | Features of the Pulsed Treatment of Silicon Layers Implanted with Erbium Ions |
Авторы: | Batalov, R. I. Bayazitov, R. M. Nurutdinov, R. M. Kryzhkov, D. I. Gaiduk, P. I. Marques, C. P. Alves, E. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2009 |
Издатель: | Pleiades Publishing, Ltd. |
Библиографическое описание источника: | Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques. Vol. 3. - 2009. - No. 4. - pp. 604–607. |
Аннотация: | Abstract—The formation of thin-film solid solutions of erbium in silicon and synthesis of erbium silicides were performed using continuous implantation of silicon with erbium ions followed by pulsed ion-beam treat- ment. Structural and optical properties of formed Si:Er layers were studied by Rutherford backscattering, trans- mission electron microscopy, and low-temperature photoluminescence. The dependences of erbium redistribu- tion, the microstructure of Si:Er layers, and their photoluminescence in the near-IR region on the erbium con- centration and pulsed treatment conditions were determined. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/10018 |
Располагается в коллекциях: | Статьи |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Surface2009_eng.pdf | 328,64 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.