Logo BSU

Просмотр Авторы Павловский, В. Н.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 8 - 20 из 20 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
сен-2007Оптические свойства гетероструктур с активной областью Cd(Zn)Se/ZnSe, излучающих в зеленом диапазоне спектраВойнилович, А. Г.; Луценко, Е. В.; Зубелевич, В. З.; Данильчик, А. В.; Тарасюк, Н. П.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Торопов, А. А.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С.; Манак, И. С.
2015Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках.Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.
2010Светодиоды с мощным импульсным и непрерывным излучением для накачки лазерных активных средЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.
2013Случайная генерация лазерного излучения в микропорошке CdSeЛеоненя, М. С.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2015Случайная генерация лазерного излучения на двух длинах волн в смеси микропорошков ZnSe и CdSe.Леоненя, М. С.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2004Сравнительный анализ люминесцентных свойств InGaN/GaN МКЯ гетероструктур, выращенных на подложках сапфира и кремнияЗубелевич, В. З.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Danailov, M. B.; Dikme, Y.
2015Стимулированное излучение в облученных протонами пленках Cu(In,Ga)Se2 для солнечных элементов.Свитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Мудрый, А. В.; Живулько, В. Д.
2017Стимулированное излучение в пленке Cu(In,Ga)Se2, полученной магнетронным напылениемСвитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Ширипов, В. Я.; Хохлов, Е. А.
2006Температура нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачкиЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Павловский, В. Н.
2022Температурная зависимость спектров люминесценции излучателей светодиодных ламп при оптическом возбужденииГурский, А. Л.; Машедо, Н. В.; Павловский, В. Н.
ноя-2019Температурное поведение рекомбинационного излучения пленки Cu(In,Ga)(S,Se)2 в составе солнечного элемента при лазерном возбужденииСвитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Мудрый, А. В.; Бородавченко, О. М.
2006Фотолюминесцентные свойства тонких пленок органического полупроводника spiro-TAD, легированных органическим красителем кумарин 30Осипов, К. А.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.
2023Фотолюминесценция в композитах на основе люминофора CaGa2S4:Eu2+ в полиэтилене низкой плотностиТагиев, О. Б.; Ибрагимов, Т. Д.; Рамазанова, И. С.; Асадов, Э. Г.; Нуралиев, А. Ф.; Оруджев, Т. Я.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Данильчик, А. В.; Яблонский, Г. П.