Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292790| Заглавие документа: | Температурная зависимость спектров люминесценции излучателей светодиодных ламп при оптическом возбуждении |
| Другое заглавие: | Temperature dependence of luminescence spectra of emitters of LED lamps at optical excitation / A. L. Gurskii, M. V. Masheda, V. N. Pavlovskii |
| Авторы: | Гурский, А. Л. Машедо, Н. В. Павловский, В. Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 58-63. |
| Аннотация: | При оптическом возбуждении излучателей светодиодных ламп в интервале температур от 25 °С до 150 °С с ростом температуры происходит линейный сдвиг максимума полосы излучения гетероструктур в длинноволновую область со скоростью 0,38 мэВ/K, а максимум полосы излучения люминофора сдвигается в сторону коротких волн со скоростью 0,27 мэВ/K. Оценка температуры электронной подсистемы по форме коротковолнового крыла спектра излучения гетероструктуры соответствует температуре образцов. Форма коротковолнового крыла спектра излучения гетероструктуры указывает на возможность замедления процессов релаксации фотовозбужденных электронов в гетероструктуре. Интенсивность излучения образцов стабильна во всем температурном интервале, в отличие от электрического возбуждения, что обусловлено прямым оптическим возбуждением люминофора излучением лазера |
| Аннотация (на другом языке): | When the emitters of LED lamps are optically excited in the temperature range from 25 °C to 150 °C, with increasing temperature, the maximum of the emission band of heterostructures shifts linearly to the long-wave region at a rate of 0,38 meV/K, and the maximum of the phosphor emission band shifts to the short waves at a rate of 0,27 meV/K. The estimation of the temperature of the electronic subsystem by the shape of the short-wave wing of the radiation spectrum of the heterostructure corresponds to the temperature of the samples. The shape of the short-wave wing of the radiation spectrum of the heterostructure indicates the possibility of slowing down the relaxation processes of photoexcited electrons in the heterostructure. The radiation intensity of the samples is stable throughout the temperature range, in contrast to the electrical excitation, which is due to the direct optical excitation of the phosphor by laser radiation |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292790 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.