Распад пересыщенных сплавов SiO2(Ge) при термической обработке

Abstract

Исследована эволюция композиционного и структурно-фазового состава пересыщенных сплавов SiO2(Ge) при высокотемпературном отжиге. С помощью методов Резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и микродифракции показано, что отжиг приводит к формированию в слоях массивов квантовых точек Ge. Одновременно происходит более или менее существенное изменение толщины и композиционного состава слоев, связанное с удалением из них летучих монооксидов SiO и GeO. Установлено, что характер и относительный вклад данных процессов сильно зависит от исходного состава сплавов, а также от режимов их отжига.