Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/95606Full metadata record
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Садовский, П. К. | - |
| dc.contributor.author | Челядинский, А. Р. | - |
| dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
| dc.contributor.author | Тарасик, М. И. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Васильев, Ю. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-05-08T06:36:49Z | - |
| dc.date.available | 2014-05-08T06:36:49Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.citation | Вестник БГУ. Серия 1, Физика. Математика. Информатика. - 2013. - №2. - С. 15-19. | ru |
| dc.identifier.issn | 0321-0367 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/95606 | - |
| dc.description.abstract | онтролируемых примесей. Микропустоты образуются на месте ранее сформированных преципитатов сурьмы во время высокотемпературного отжига, в результате которого атомы Sb покидают преципитаты и диффундируют в слой кремния. Время жизни неравновесных носителей заряда в пластинах кремния n- и p-типа проводимости с геттерным слоем в 3–4 раза выше, чем без него. Исследовано взаимодействие атомов Sb с микропорами геттерного слоя. Обнаружено, что часть примеси сурьмы захватывается на микропустоты во время геттерирующего отжига. Энергия активации процесса захвата сурьмы на поры ниже энергии активации диффузии сурьмы в кремнии, что объясняется влиянием на процесс диффузии полей упругих деформаций вокруг микропустот. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Минск : БГУ | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | en |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Создание слоя микропористого кремния путем имплантации ионов сурьмы | ru |
| dc.type | article | ru |
| Appears in Collections: | 2013, №2 (май) | |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.