Перестройка радиационных дефектов при отжиге кремниевых диодов С p+-n переходом, облученных высокоэнергетическими ионами золота.

Abstract

Радиационные дефекты (РД), возникающие при облучении кремния или структур на его основе электронами либо ионами, являются эффективными центрами рекомбинации неравновесных носителей заряда. По-этому радиационные технологии широко используются для оптимизации параметров силовых быстродействующих приборов. Облучение высокоэнергетическими тяжелыми ионами дает возможность минимизировать увеличение прямого падения напряжения, наблюдающееся из-за компенсации легирующей примеси РД, и, следовательно, может рассматриваться как перспективное направление развития радиационных технологий модификации полупроводниковых приборов. Однако информация о РД, вводимых таким облучением на сегодня не полна. Это обусловлено сложностью процессов дефектообразования для случая высоких энергий и больших масс ионов, а также комплексным и многостадийным характером трансформации дефектов, локализованных в областях скопления, при термическом отжиге структур.