Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/89047
Title: Анализ перезарядки глубокоуровневого дефекта в полуизолирующем GaAs
Authors: Одринский, А. П.
Keywords: ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
Issue Date: 2013
Publisher: Минск: Изд. центр БГУ
Citation: Квантовая электроника: Материалы IX Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–21 нояб. 2013 г. – Минск, 2013. - С. 63-64.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/89047
ISBN: 978-985-553-157-0
Appears in Collections:2013. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
63-64.pdf628,63 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record Google Scholar



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.