Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/7433
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЧелядинский, А. Р.-
dc.contributor.authorЯвид, В. Ю.-
dc.contributor.authorВасильева, Л. А.-
dc.contributor.authorСадовский, П. К.-
dc.contributor.authorВасильев, Ю. Б.-
dc.date.accessioned2012-04-26T07:12:32Z-
dc.date.available2012-04-26T07:12:32Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.other20062732-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/7433-
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleРазработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. Челядинскийru
dc.typereportru
Располагается в коллекциях:Отчеты 2010

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Отчет Челядинский 20062732.doc27,52 MBMicrosoft WordОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.