Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7369| Заглавие документа: | Исследование нанокомпозитных структур SiO2:Мe, |
| Авторы: | Максимова, К. Ю. Матвеев, Ю. А. Зенкевич, А. В. Неволин, В. Н. Новиков, А. Г. Гайдук, П. И. Орехов, А. С. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2010 |
| Издатель: | Материалы электронной техники |
| Библиографическое описание источника: | ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ 2010 №2 |
| Аннотация: | Реализован новый способ формирования наноразмерных структур SiO2:Ме на подложках предварительно окисленного Si, сформированных путем совместного осаждения Si и Me (Me = = Au, Pt) методом импульсного лазерного осаждения с последующим термическим окислением смеси. Методами резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии показано, что металл сегрегирует на фронте окисления кремния с образованием двумерной системы нанокластеров на границе раздела с нижним слоем SiO2. Вольт-фарадные характеристики, полученные на образцах структур SiO2:Me, содержат гистерезис, что свидетельствует о перспективности разработки на их основе энергонезависимых устройств памяти. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7369 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2010-PerspMater-Me-dots-in-SiO2.pdf | 735,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.