Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7369Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Максимова, К. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Матвеев, Ю. А. | - |
| dc.contributor.author | Зенкевич, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Неволин, В. Н. | - |
| dc.contributor.author | Новиков, А. Г. | - |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | - |
| dc.contributor.author | Орехов, А. С. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-04-25T11:30:00Z | - |
| dc.date.available | 2012-04-25T11:30:00Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | ПЕРСПЕКТИВНЫЕ МАТЕРИАЛЫ 2010 №2 | ru |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7369 | - |
| dc.description.abstract | Реализован новый способ формирования наноразмерных структур SiO2:Ме на подложках предварительно окисленного Si, сформированных путем совместного осаждения Si и Me (Me = = Au, Pt) методом импульсного лазерного осаждения с последующим термическим окислением смеси. Методами резерфордовского обратного рассеяния и просвечивающей электронной микроскопии показано, что металл сегрегирует на фронте окисления кремния с образованием двумерной системы нанокластеров на границе раздела с нижним слоем SiO2. Вольт-фарадные характеристики, полученные на образцах структур SiO2:Me, содержат гистерезис, что свидетельствует о перспективности разработки на их основе энергонезависимых устройств памяти. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Материалы электронной техники | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Исследование нанокомпозитных структур SiO2:Мe, | ru |
| Располагается в коллекциях: | Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2010-PerspMater-Me-dots-in-SiO2.pdf | 735,83 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.