Влияние лазерного геттерорирования кремниевых пластин на свойства границы раздела Si – SIO2

Abstract

Analyses were conducted on the gettering process influence of the silicon wafers on the film properties, obtained by means of the thermal silicon oxidation and Si–SiO2 separation margin. It was established, that the films, grown on the wafers with gettering, pos- sess the more perfect structure and silicon-silicon dioxide separation margin, which ensures reduction of the charge density and surface states at the Si–SiO2 separation margin, thus enhancing reliability of the MOS IC functionality. = Проведены исследования влияния процесса геттерирования кремниевых пластин на свойства пленок, полученных путем термического окисления кремния и границы раздела Si − SiO2. Установлено, что пленки, выращенные на пластинах с геттерированием имеют более совершенную структуру и границу раздела кремний – двуокись кремния, что обеспечивает снижение плотности заряда и поверхностных состояний на границе раздела Si − SiO2, тем самым повышая надежность работы МОП ИМС