Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/6089
Title: Влияние лазерного геттерорирования кремниевых пластин на свойства границы раздела Si – SIO2
Authors: Пилипенко, В. А.
Вечер, Д. В.
Понарядов, В. А.
Горушко, В. А.
Сякерский, В. С.
Петлицкая, Т. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: Jan-2008
Publisher: БГУ
Citation: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2008. - N 1. - С. 23-25.
Abstract: Analyses were conducted on the gettering process influence of the silicon wafers on the film properties, obtained by means of the thermal silicon oxidation and Si–SiO2 separation margin. It was established, that the films, grown on the wafers with gettering, pos- sess the more perfect structure and silicon-silicon dioxide separation margin, which ensures reduction of the charge density and surface states at the Si–SiO2 separation margin, thus enhancing reliability of the MOS IC functionality. = Проведены исследования влияния процесса геттерирования кремниевых пластин на свойства пленок, полученных путем термического окисления кремния и границы раздела Si − SiO2. Установлено, что пленки, выращенные на пластинах с геттерированием имеют более совершенную структуру и границу раздела кремний – двуокись кремния, что обеспечивает снижение плотности заряда и поверхностных состояний на границе раздела Si − SiO2, тем самым повышая надежность работы МОП ИМС
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/6089
ISSN: 0321-0367
Appears in Collections:2008, №1 (январь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
pages 23-25 from Вестник_БГУ_Январь_2008_Серия1_№1.pdf12,11 MBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.