Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49648| Заглавие документа: | Влияние уровня легирования подложки и толщины подзатворного окисла на ВАХ N-канального МОП-транзистора |
| Авторы: | Андреев, Альберт Данилович Борздов, Владимир Михайлович Валиев, Александр Анатольевич Жевняк, Олег Григорьевич Мулярчик, Степан Григорьевич Шевкун, Игорь Михайлович |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | сен-2005 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2005. - № 3. – С.13-17 |
| Аннотация: | Approximation of the MOSFET current-voltage characteristics is considered. The measured and calculated values of the drain voltage at the beginning of the saturation region are compared. This allows for estimation of a thickness of the gate dielectric needed to obtain the required value of the drain current at strong inversion. Рассмотрена аппроксимация ВАХ МОП-транзистора с высоколегированной подложкой. Сравниваются измеренные и рассчитанные величины напряжения стока при переходе к насыщению. Это дает возможность оценить толщину подзатворного диэлектрика, обеспечивающего требуемую величину тока стока в режиме сильной инверсии. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49648 |
| ISSN: | 0321-0367 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2005, №3 (сентябрь) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| andreev-borzdov-valiev-zhevnjak-muljarchik-shevkun.pdf | 628,67 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.