Влияние уровня легирования подложки и толщины подзатворного окисла на ВАХ N-канального МОП-транзистора

Abstract

Approximation of the MOSFET current-voltage characteristics is considered. The measured and calculated values of the drain voltage at the beginning of the saturation region are compared. This allows for estimation of a thickness of the gate dielectric needed to obtain the required value of the drain current at strong inversion. Рассмотрена аппроксимация ВАХ МОП-транзистора с высоколегированной подложкой. Сравниваются измеренные и рассчитанные величины напряжения стока при переходе к насыщению. Это дает возможность оценить толщину подзатворного диэлектрика, обеспечивающего требуемую величину тока стока в режиме сильной инверсии.