Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48819
Заглавие документа: | Влияние нейтронного облучения на тепловое расширение кристаллов GaAs |
Авторы: | Чирадзе, Г. Д. Герасимов, А. Б. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Аннотация: | Исследованы дозовые зависимости эффективных значений параметров решетки (при температурах 298К и 318К) кристаллов GaAs, n – типа проводимости, облученных быстрыми нейтронами в диапазоне доз 1015 - 1,25.1018 н/см2. На основе полученных данных вычислены соответствующие величины коэффициентов термического расширения. Показано, что облученные образцы (по сравнению с исходными - необлученными), характеризуются повышенными эффективными значениями параметров решетки. При этом величины коэффициентов термического расширения с ростом дозы облучения подвергаются постепенному уменьшению. При этом в диапазоне доз 1015 - 1017 н/см2 сравнительно слабее, чем в диапазоне доз 1017 - 1,25.1018 н/см2. Наблюдаемые явления объясняются образованием в матрице облученных образцов разупорядоченных областей и полей напряжений вокруг этих областей, существованием в этих областях неоднородного объемного расширения и постепенным нарушением пространственной направленности ковалентных связей с ростом флюенса нейтронного облучения. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48819 |
Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Чирадзе.pdf | 537,33 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.