Влияние нейтронного облучения на тепловое расширение кристаллов GaAs

Abstract

Исследованы дозовые зависимости эффективных значений параметров решетки (при температурах 298К и 318К) кристаллов GaAs, n – типа проводимости, облученных быстрыми нейтронами в диапазоне доз 1015 - 1,25.1018 н/см2. На основе полученных данных вычислены соответствующие величины коэффициентов термического расширения. Показано, что облученные образцы (по сравнению с исходными - необлученными), характеризуются повышенными эффективными значениями параметров решетки. При этом величины коэффициентов термического расширения с ростом дозы облучения подвергаются постепенному уменьшению. При этом в диапазоне доз 1015 - 1017 н/см2 сравнительно слабее, чем в диапазоне доз 1017 - 1,25.1018 н/см2. Наблюдаемые явления объясняются образованием в матрице облученных образцов разупорядоченных областей и полей напряжений вокруг этих областей, существованием в этих областях неоднородного объемного расширения и постепенным нарушением пространственной направленности ковалентных связей с ростом флюенса нейтронного облучения.