Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48819
Title: Влияние нейтронного облучения на тепловое расширение кристаллов GaAs
Authors: Чирадзе, Г. Д.
Герасимов, А. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Исследованы дозовые зависимости эффективных значений параметров решетки (при температурах 298К и 318К) кристаллов GaAs, n – типа проводимости, облученных быстрыми нейтронами в диапазоне доз 1015 - 1,25.1018 н/см2. На основе полученных данных вычислены соответствующие величины коэффициентов термического расширения. Показано, что облученные образцы (по сравнению с исходными - необлученными), характеризуются повышенными эффективными значениями параметров решетки. При этом величины коэффициентов термического расширения с ростом дозы облучения подвергаются постепенному уменьшению. При этом в диапазоне доз 1015 - 1017 н/см2 сравнительно слабее, чем в диапазоне доз 1017 - 1,25.1018 н/см2. Наблюдаемые явления объясняются образованием в матрице облученных образцов разупорядоченных областей и полей напряжений вокруг этих областей, существованием в этих областях неоднородного объемного расширения и постепенным нарушением пространственной направленности ковалентных связей с ростом флюенса нейтронного облучения.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48819
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Чирадзе.pdf537,33 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.