Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48739| Заглавие документа: | Дефектообразование в диазохинон-новолачном фоторезисте при ионной имплантации |
| Авторы: | Бринкевич, Д. И. Вабищевич, С. А. Вабищевич, Н. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2013 |
| Аннотация: | Исследованы процессы дефектообразования при имплантации пленок позитивного фоторезиста ФП 9120. Установлено, что процессы радиационного дефектообразования при ионной имплантации фоторезиста протекают не только в области торможения ионов, но далеко за областью проецированного пробега. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен сильнее. Предположительно, он обусловлен процессами радиационного сшивания. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48739 |
| Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Бринкевич.pdf | 243,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.