Дефектообразование в диазохинон-новолачном фоторезисте при ионной имплантации

Abstract

Исследованы процессы дефектообразования при имплантации пленок позитивного фоторезиста ФП 9120. Установлено, что процессы радиационного дефектообразования при ионной имплантации фоторезиста протекают не только в области торможения ионов, но далеко за областью проецированного пробега. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен сильнее. Предположительно, он обусловлен процессами радиационного сшивания.