Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48739
Title: Дефектообразование в диазохинон-новолачном фоторезисте при ионной имплантации
Authors: Бринкевич, Д. И.
Вабищевич, С. А.
Вабищевич, Н. В.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2013
Abstract: Исследованы процессы дефектообразования при имплантации пленок позитивного фоторезиста ФП 9120. Установлено, что процессы радиационного дефектообразования при ионной имплантации фоторезиста протекают не только в области торможения ионов, но далеко за областью проецированного пробега. Эффект радиационного упрочнения полимера наблюдался по всей толщине пленки, причем за слоем внедрения ионов указанный эффект выражен сильнее. Предположительно, он обусловлен процессами радиационного сшивания.
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48739
Appears in Collections:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Бринкевич.pdf243,3 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.