Расчет эффективной пороговой энергии ударной ионизации в канале глубоко субмикронного МОП-транзистора

Abstract

In the frame of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed. = На основе моделирования методом Монте-Карло процессов переноса носителей заряда в n-канальном МОП-транзисторе с длиной канала 100 нм рассчитана эффективная пороговая энергия межзонной ударной ионизации в канале прибора. В исследованном диапазоне приложенных к электродам транзистора напряжений показана возможность адекватной оценки интенсивности процесса ударной ионизации в пробойном и предпробойном режимах его работы с помощью однопараметрической модели Келдыша.