Изучение влияния поверхностно-активных ионов на кинетические параметры фотопроцесса в пленке пассивного железа с по- мощью модулированной по интенсивности спектроскопии фототоков

Abstract

Рассчитаны кинетические параметры фотопроцесса (скорость поверхностной реком- бинации, константа скорости восстановления промежуточной частицы, образующейся в твердой фазе, время релаксации пленки), протекающего в пассивирующей пленке анодно окисленного железного электрода в нейтральных нитратных средах и в присутствии в раство- ре поверхностно-активных ионов Ва2+, Сl–. Результаты расчетов основаны на эксперимен- тальных данных в условиях модулированного освещения пассивного железного электрода. Показано, что исследуемая система имеет два времени релаксации, а вводимые в раствор поверхностно-активные ионы влияют на величину кинетических параметров фотопроцесса, что свидетельствует о различном механизме переноса заряда через межфазную границу. Адсорбция анионов на поверхности пассивного железа приводит к более эффективному разделению заряда в пленке и снижению скорости рекомбинации. При адсорбции катио- нов скорость рекомбинации, наоборот, увеличивается, что связано с увеличением вблизи границы раздела концентрации электронов, оттянутых из объема полупроводника. Библиогр. 20 назв., ил. 5, табл. 4.