Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38298
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorХарченко, А. А.-
dc.contributor.authorШварков, С. Д.-
dc.contributor.authorГумаров, А. И.-
dc.contributor.authorВалеев, В. Ф.-
dc.contributor.authorХайбуллин, Р. И.-
dc.contributor.authorЛукашевич, М. Г.-
dc.contributor.authorWieck, A.-
dc.contributor.authorОджаев, В. Б.-
dc.date.accessioned2013-03-21T10:14:27Z-
dc.date.available2013-03-21T10:14:27Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.172-175ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38298-
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК–МЕТАЛ ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ZnO ИОНАМИ КОБАЛЬТАru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2012. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Харченко А.А..pdf290,96 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.