Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38296
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПоклонский, Н. А.-
dc.contributor.authorГорбачук, Н. И.-
dc.contributor.authorШпаковский, С. В.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.contributor.authorВо Куанг Нья-
dc.contributor.authorКрасицкая, Ю. А.-
dc.contributor.authorСкуратов, В. А.-
dc.contributor.authorБоженков, В. В.-
dc.date.accessioned2013-03-21T09:58:05Z-
dc.date.available2013-03-21T09:58:05Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.155-158ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38296-
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2012. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Поклонский.pdf281,05 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.