Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38147
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorMurin, L. I.-
dc.contributor.authorMarkevich, V. P.-
dc.contributor.authorPeaker, A. R.-
dc.date.accessioned2013-03-20T19:11:41Z-
dc.date.available2013-03-20T19:11:41Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.110-113ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38147-
dc.language.isoenru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleINTERSTITIAL BORON-INTERSTITIAL OXYGEN COMPLEX IN SILICON: LOCAL VIBRATIONAL MODE ARACTERIZATIONru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2012. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
L.I.Murin.pdf247,72 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.