Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/38077
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.-
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorСоловьев, Я. А.-
dc.contributor.authorКомаров, Ф. Ф.-
dc.contributor.authorМильчанин, О. В.-
dc.contributor.authorКовалева, Т. Б.-
dc.date.accessioned2013-03-20T13:59:27Z-
dc.date.available2013-03-20T13:59:27Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationМатериалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.88-90ru
dc.identifier.isbn978-985-553-079-5-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/38077-
dc.language.isoruru
dc.publisherИздательский центр БГУru
dc.relation.ispartofseriesВузовская наука, промышленность, международное сотрудничество;-
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleФОРМИРОВАНИЕ БАРЬЕРОВ ШОТТКИ НА ОСНОВЕ СИЛИЦИДНОГО НИКЕЛЬ-ПЛАТИНОВОГО СПЛАВАru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2012. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
В.А. Солодуха, А.С. Турцевич, Я.А. Соловьев, Ф.Ф. Комаров, О.В. Мильчанин, Т.Б. Ковалева.pdf941,17 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.