Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38037Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Васьков, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Кононенко, В. К. | - |
| dc.contributor.author | Нисс, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Рубцевич, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Керенцев, А. Ф. | - |
| dc.date.accessioned | 2013-03-20T11:10:22Z | - |
| dc.date.available | 2013-03-20T11:10:22Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.citation | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.27-30 | ru |
| dc.identifier.isbn | 978-985-553-079-5 | - |
| dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38037 | - |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Издательский центр БГУ | ru |
| dc.relation.ispartofseries | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; | - |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | ТЕПЛОВЫЕ ПАРАМЕТРЫ, СТРУКТУРА И ДЕФЕКТНОСТЬ ПОСАДКИ МОЩНЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| О.В. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, А.Ф. Керенцев.pdf | 357,88 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.