Локальные тепловые процессы в монокри-сталических полупроводниках при ионной имплантации

Abstract

При прохождении быстрой заряженной частицы через твердое тело вокруг ее траектории может формироваться дефектная областьтрек. Для описания процесса образования и развития энергетического трека в монокристаллических полупроводниках использованы две модели: волновая и обычная диффузионная модель температуропроводности, но с учетом зависимости теплофизических параметров среды от температуры.