Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/345060
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorGolubeva, E. N.-
dc.contributor.authorGrushevskaya, H. V.-
dc.contributor.authorKrylova, N. G.-
dc.contributor.authorLipnevich, I. V.-
dc.contributor.authorOrekhovskaya, T. I.-
dc.date.accessioned2026-04-07T12:06:41Z-
dc.date.available2026-04-07T12:06:41Z-
dc.date.issued2014-
dc.identifier.citationGolubeva EN, Grushevskaya HV, Krylova NG, Lipnevich IV, Orekhovskaya TI. Raman scattering in conducting metal-organic films deposited on nanoporous anodic alumina. Journal of Physics: Conference Series. 2014 Oct 27;541:012070.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/345060-
dc.description.abstractRaman scattering in dielectric nanostructures on the base of aluminum oxide was studied. A method of high dielectric nanocomposite fabrication was proposed. Metalcontaining conducting Langmuir – Blodgett films were shown to shield the anodic nanoporous alumina from the action of strong electrical fields.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherIOP Publishingru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleRaman scattering in conducting metal-organic films deposited on nanoporous anodic aluminaru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.DOI10.1088/1742-6596/541/1/012070-
Располагается в коллекциях:Кафедра компьютерного моделирования (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Golubeva_2014_J._Phys.__Conf._Ser._541_012070.pdf918,86 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.