Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/345060Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Golubeva, E. N. | - |
| dc.contributor.author | Grushevskaya, H. V. | - |
| dc.contributor.author | Krylova, N. G. | - |
| dc.contributor.author | Lipnevich, I. V. | - |
| dc.contributor.author | Orekhovskaya, T. I. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-04-07T12:06:41Z | - |
| dc.date.available | 2026-04-07T12:06:41Z | - |
| dc.date.issued | 2014 | - |
| dc.identifier.citation | Golubeva EN, Grushevskaya HV, Krylova NG, Lipnevich IV, Orekhovskaya TI. Raman scattering in conducting metal-organic films deposited on nanoporous anodic alumina. Journal of Physics: Conference Series. 2014 Oct 27;541:012070. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/345060 | - |
| dc.description.abstract | Raman scattering in dielectric nanostructures on the base of aluminum oxide was studied. A method of high dielectric nanocomposite fabrication was proposed. Metalcontaining conducting Langmuir – Blodgett films were shown to shield the anodic nanoporous alumina from the action of strong electrical fields. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | IOP Publishing | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Raman scattering in conducting metal-organic films deposited on nanoporous anodic alumina | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.1088/1742-6596/541/1/012070 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра компьютерного моделирования (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Golubeva_2014_J._Phys.__Conf._Ser._541_012070.pdf | 918,86 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.

