Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/343495| Заглавие документа: | Процессы деградации электролюминесценции светоизлучающих структур на основе тонких пленок оксида и нитрида кремния |
| Другое заглавие: | Processes of electroluminescence degradation of light-emitting structures based on thin silicon oxide and nitride films |
| Авторы: | Романов, И.А. Комаров, Ф.Ф. Власукова, Л.А. Пархоменко, И.Н. Ковальчук, Н.С. |
| Цифровой идентификатор автора ORCID: | 0000-0001-8273-6908 0000-0003-0982-3938 |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2021 |
| Издатель: | Национальная академия наук Беларуси |
| Библиографическое описание источника: | Доклады Национальной академии наук Беларуси.2021; Т. 65(2):С. 158-167 |
| Аннотация: | Одно-, двух- и трехслойные светоизлучающие композиции SiO2/Si, SiN1,2/SiO2/Si и SiO2/SiN0,9/SiO2/Si изготовлены на кремниевых подложках p-типа методами химического осаждения из газовой фазы и термооксидирования кремния. Элементный состав и толщины диэлектрических слоев изучены методами резерфордовского обратного рассеяния, растровой электронной микроскопии и спектральной эллипсометрии. Для изучения электролюминесценции (ЭЛ) использовалась система «электролит-диэлектрик-полупроводник», регистрация спектров ЭЛ проводилась в гальваностатическом режиме при положительном смещении кремниевой подложки. На спектрах ЭЛ образца SiO2/Si проявляется интенсивная полоса с максимумом 1,9 эВ, спектры ЭЛ образцов SiN1,2/SiO2/Si и SiO2/ SiN0,9/SiO2/Si характеризуются наличием полос с максимумами при 1,9, 2,3 и 2,7 эВ. Обсуждается природа этих полос. Пропускание через образец SiO2/SiN0,9/SiO2/Si заряда в диапазоне 100-500 мКл/см2 приводит к увеличению интенсивности ЭЛ всех регистрируемых полос. После пропускания через образец с трехслойной диэлектрической пленкой заряда величиной 1 Кл/см2 интенсивность ЭЛ уменьшается, что объяснено деградацией верхнего слоя оксида кремния. Проведенные исследования позволяют сделать вывод, что нитрид кремния, нанесенный поверх слоя SiO2, предохраняет слой SiO2 от полевой деградации и преждевременного пробоя. Наиболее стабильной электролюминесценцией при воздействии сильного электрического поля характеризуется структура SiN1,2/SiO2/Si. |
| Аннотация (на другом языке): | SiO<sub>2</sub>/Si, SiN<sub>1.2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si and SiO<sub>2</sub>/SiN<sub>0.9</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si structures have been fabricated by chemical vapor deposition and thermal oxidation of silicon. The elemental composition and thicknesses of dielectric layers have been studied using Rutherford backscattering spectroscopy, scanning electron microscopy, and spectral ellipsometry. The electroluminescence (EL) of the samples has been investigated in the “electrolyte-dielectric-semiconductor” system at a positive bias voltage applied to the silicon substrate. An intense band with maxima at 1.9 eV appears on the EL spectra of the SiO<sub>2</sub>/Si sample, while the EL spectra of the SiN<sub>1.2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si and SiO<sub>2</sub>/SiN<sub>0.9</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si samples are characterized by the presence of bands with the maximum values of 1.9, 2.3 and 2.7 eV. The nature of these bands is discussed. Passing a charge in the range of 100-500 mC/cm<sup>2</sup> through the SiO<sub>2</sub>/SiN<sub>0.9</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si sample, an increase in the EL intensity was recorded in the entire visible range. Passing a charge of 1 C/cm<sup>2</sup> through a sample with a three-layer dielectric film resulted in the EL intensity decrease. It can be explained by the upper oxide layer degradation. It has been shown that silicon nitride deposited on top of the SiO<sub>2</sub> layer protects the oxide layer from field degradation and premature breakdown. The most stable electroluminescence when exposed to a strong electric field is observed for the structure SiN<sub>1.2</sub>/SiO<sub>2</sub>/Si. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/343495 |
| DOI документа: | 10.29235/1561-8323-2021-65-2-158-167 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 958-1839-1-SM.pdf | 686,34 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.