Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342848| Заглавие документа: | Измерения параметров полупроводниковых структур: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 6-05-0533-02 Прикладная физика. Профилизация: Физика полупроводников и наноэлектроника. № 4211/б. |
| Авторы: | Азарко, Игорь Иосифович Сидоренко, Юлия Владимировна |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 4-дек-2025 |
| Издатель: | БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
| Аннотация: | Цель данной учебной дисциплины – сформировать у студентов систематические знания о современных методах экспериментального определения электрофизических, оптических и структурных параметров полупроводниковых материалов и приборных структур. В процессе изучения дисциплины учащиеся ознакомятся с конструктивными особенностями аппаратуры, используемой для современных методов контроля материалов электронной техники; изучат физические принципы, возможности и границы применимости наиболее распространенных экспериментальных методов измерения и контроля полупроводниковых материалов и структур, используемых в электронике; постигнут причины возникновения различных составляющих погрешности при измерении параметров полупроводниковых структур; ознакомятся со способами подготовки образцов для измерений. |
| Доп. сведения: | Дисциплина изучается в 6 семестре. В соответствии с учебным планом, всего на изучение учебной дисциплины отведено: для очной формы получения высшего образования – 108 часов, в том числе 50 аудиторных часа, из них: лекции – 36 часов, семинарские занятия – 14 часов. Из них: лекции – 36 часов, семинарские занятия – 8 часов, управляемая самостоятельная работа (УСР) – 6 часов. Трудоемкость учебной дисциплины составляет 3 зачетные единицы. Форма промежуточной аттестации – экзамен. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342848 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Измерения параметров полупроводниковых структур_Азарко_Сидоренко.pdf | 6,47 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.