Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342815
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorAstashynski, V.M.-
dc.contributor.authorSari, A.H.-
dc.contributor.authorKuzmitski, A.M.-
dc.contributor.authorPetukhou, Yu.A.-
dc.contributor.authorUglov, V.V.-
dc.contributor.authorFilatov, S.A.-
dc.date.accessioned2026-02-26T10:34:44Z-
dc.date.available2026-02-26T10:34:44Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationPlasma physics and plasma technology : Volume II (Sections 4-6), Minsk, 17–21 сентября 2012 года. – Minsk: Kovcheg, 2012. – P. 499-502ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/342815-
dc.description.abstractThe use of CPF on Ta/Si system results in the formation of metal coating composed from spherical clusters and nanostructures (~20 to 100 nm). Metal and silicon intermixing via CPF action results creation of tantalum silicides. The tantalum silicides mostly are in the form of hexagonal Si1-xTa3+x and have been created for both Si(111) and Si(100) substrates. Formation of nanocluster is provided by condensation of cluster vapor on silicon in shock-compressed plasma layer. Results of studies show great potential of CPF application for the development of novel nanostructured metal-silicide materials for magnetic, thermoelectric and photovoltaic applications.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherKovchegru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Металлургияru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleEffect of compressed plasma flow of structure-phase transformations of Tantalum-Silicon Systemsru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.orcid0000-0003-1929-4996ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Асташинский1.pdf792,66 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.