Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Статьи сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/342814
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKomarov, F.F.-
dc.contributor.authorVlasukova, L.I.-
dc.contributor.authorMilchanin, O.V.-
dc.contributor.authorGreben, M.V.-
dc.contributor.authorKomarov, A.F.-
dc.contributor.authorMudryi, A.V.-
dc.contributor.authorWesch, W.-
dc.contributor.authorWendler, E.-
dc.contributor.authorTogambaeva, A.K.-
dc.date.accessioned2026-02-26T10:28:06Z-
dc.date.available2026-02-26T10:28:06Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationPlasma physics and plasma technology : Volume II (Sections 4-6), Minsk, 17–21 сентября 2012 года. – Minsk: Kovcheg, 2012. – P. 491-494.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/342814-
dc.description.abstractNanosized crystallites have been synthesized into Si and SiO2/Si structures by means of As (170 keV, 3.2×1016 cm-2) and In (250 keV, 2.8×1016 cm-2) implantation at 25 °C and 500 °C and subsequent annealing at 1050 °C for 3 min. RBS, TEM and PL techniques were used to analyse the impurity distribution and the structural and optical characteristics of the implanted layers. It was found that oxidation of samples before thermal treatment significantly reduces the As and In losses. A broad band in the region of 1.2 – 1.5 μm was detected in the photoluminescence spectra.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherKovchegru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleThe effect of thin surface oxide layers of ion beam sythesis of InAs nanocrystals in Siru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.identifier.orcid0000-0001-8273-6908ru
dc.identifier.orcid0000-0002-8300-1070ru
Располагается в коллекциях:Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Власукова.pdf868,3 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.