Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/342241| Заглавие документа: | Optical and Electrophysical Properties of Thin Zinc Oxide Films Doped with Scandium and Obtained by Laser Deposition |
| Авторы: | Bosak, N.A. Chumakov, A.N. Karoza, A.G. Raichenok, T.E. Shevchenok, A.A. Baran, L.V. Malutina-Bronskaya, V.V. Sugak, M.G. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2020 |
| Издатель: | Springer Nature |
| Библиографическое описание источника: | Journal of Applied Spectroscopy.2020; 87(5): P. 840-845 |
| Аннотация: | Nanostructured thin films on a silicon substrate were obtained by high-frequency pulse-periodic laser action (f ~ 10–15 kHz) with wavelength λ = 1.064 μm and power density q = 85 MW/cm<sup>2</sup> on zinc oxide ceramic doped with scandium oxide in a vacuum chamber with pressure p = 2·10<sup>–2</sup> mm Hg. The morphology of the obtained films was studied by atomic-force microscopy. Features of the transmission spectra in the visible and near and middle infrared regions were shown. The luminescence spectra obtained by excitation at various wavelengths were practically unchanged. The electrophysical properties of the ZnO + 0.9% Sc<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si heterostructure were analyzed. It was established that the main conduction mechanism is current limited by space charge in an oxide film with deep trap |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/342241 |
| DOI документа: | 10.1007/s10812-020-01079-y |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| s10812-020-01079-y.pdf | 1,94 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.