Анализ мощностных характеристик квантоворазмерных лазеров с расширенным волноводом и легированными широкозонными блокирующими слоями

Abstract

На основе диффузионно-дрейфовой модели с учетом поглощения излучения свободными носителями, неоднородного пространственного распределения излучения и носителей заряда, нагрева активной области проведено численное моделирование мощностных характеристик лазерных гетероструктур GaAs/AlGaAs с расширенным волноводом в режиме непрерывной генерации. Предложен способ учета 3D характера растекания тепла в теплоотводе в одномерной модели резонатора. Оценено влияние пере-=носа носителей заряда при внутризонном поглощении на пространственное распределение электронов и дырок в волноводных слоях. Показано, что введение в структуру легированных широкозонных блокирующих слоев позволяет увеличить максимальную мощность генерации.