Свипирование частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменений ширины запрещенной зоны полупроводнике

Abstract

Известно, что компактные полупроводниковые лазеры с узкой и стабильной линией излучения необходимы для целого ряда применений. В связи с этим к настоящему времени разработаны так называемые динамически одночастотные (ДО) лазеры, которые устойчиво работают в режиме генерации одной продольной моды при высокочастотной модуляции тока накачки [1]. Однако даже в режиме генерации одной продольной моды при модуляции тока происходит изменение “мгновенной” частоты излучения (называемое свипированием, чирпингом, динамическим сдвигом и др.) [2]. Это обусловлено изменением показателя преломления п активной среды, а, следовательно, мгновенных частот продольных мод резонатора и генерируемого излучения. Некоторые особенности свипирования частоты излучения в поверхностно излучающих лазерах с вертикальным резонатором рассмотрены в [3,4], а для полупроводниковых лазеров с активной и пассивной синхронизацией мод - в [5]. Общие закономерности динамических процессов в инжекционных лазерах при перестройке частоты излучения в пределах полосы усиления рассмотрены в [6]. В настоящем докладе представлены результаты исследования основных особенностей свипирования частоты излучения квантоворазмерных гетеролазеров с учетом изменения ширины запрещенной полупроводника вследствие варьирования концентрации неравновесных носителей тока.