Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340590| Заглавие документа: | Модификация оптических и электрофизических свойств тонких пленок методом короткоимпульсного ионного облучения |
| Другое заглавие: | Modification of Optical and Electrophysical Properties of Thin Films by Short-Pulse Ion Irradiation / Pavlov Sergey, Konusov Fedor, Tarbokov Vladislav, Remnev Gennady |
| Авторы: | Павлов, С. К. Конусов, Ф. В. Тарбоков, В. А. Ремнев, Г. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 309-311. |
| Аннотация: | В докладе представлен обзор результатов работ по влиянию импульсного ионного облучения на оптические и электрофизические свойства тонких пленок полупроводников и диэлектриков. Объектом исследований являлись материалы - композит Al-Si-N, нитрид титана и оксид галлия. Тонкие пленки были синтезированы методом реактивного магнетронного распыления. Облучение осуществлялось импульсным мощным ионным пучком на ускорителе ТЕМП-4М с параметрами: состав пучка - ионы углерода и протоны, энергия ионов до 200 кэВ, длительность импульса ~100 нс, плотность тока варьировалась в различных экспериментах и составляла до 20-30 А/см2. В докладе представлены данные о влиянии облучения на микроструктуру и электронную структуру материалов, исследованные структурными, оптическими и электрофизическими методами. Обсуждается радиационная стойкость материалов в условиях импульсного интенсивного ионного облучения, сопровождающегося сверхбыстрым нагревом и охлаждением. Показана возможность модификации оптических и электрофизических функциональных характеристик исследованных материалов |
| Аннотация (на другом языке): | The report presents an overview of the results of studies on the effect of pulsed ion irradiation on the optical and electrophysical properties of thin films of semiconductors and dielectrics. The objects of the study were the following materials: Al-Si-N composite, titanium nitride and gallium oxide. Thin films were synthesized by reactive magnetron sputtering. Irradiation was carried out by a pulsed powerful ion beam on the TEMP-4M accelerator with the following parameters: beam composition - carbon ions and protons, ion energy up to 200 keV, pulse duration ~100 ns, current density varied in different experiments and amounted to 20-30 A/cm2. The current density was limited to ablation/delamination threshold. The report presents data on the effect of irradiation on the microstructure and electronic structure of materials, studied by X-ray diffraction analysis, Raman spectroscopy, optical absorbance spectroscopy, photoluminescence, electrical and photoelectrical measurements. Radiation resistance of materials under conditions of pulsed intense ion irradiation, accompanied by ultrafast heating and cooling is discussed. The possibility of modification of the optical and electrophysical functional characteristics of the studied materials is shown |
| Доп. сведения: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation Influence on the Structure and Properties of Materials |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340590 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 309-311.pdf | 115,4 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.