Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340580| Заглавие документа: | Эффективные фотопроводящие терагерцевые антенны на основе GaN |
| Другое заглавие: | Efficient Photoconductive Terahertz Switches on GaN / Burmistrov E.R., Avakyants L.P. |
| Авторы: | Бурмистров, Е. Р. Авакянц, Л. П. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2025 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 47-49. |
| Аннотация: | Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaN, выращенного на сапфировых подложках с кристаллографическим направлением (0001)A для изготовления терагерцевых фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из InxGa1-xN/GaN, легированные атомами In. При мощности оптической накачки 57мВт и напряжении смещения 15 В фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре {LT- InxGa1-xN/GaN:In} испускала терагерцевые импульсы со средней мощностью 4.5 мкВт при частоте следования импульсов 60МГц. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии светодиодных гетероструктур |
| Аннотация (на другом языке): | A material in the form of a multilayer structure based on low-temperature LT-GaN grown on sapphire substrates with the (0001)A crystallographic direction for the manufacture of photoconductive terahertz switches is proposed. The structures contain active layers of InxGa1-xN/GaN doped with In atoms. With an optical pumping power of 57mW and a bias voltage of 15 V, the photoconductive switch on an optimized {LT-InxGa1-xN/GaN:In} structure emitted terahertz pulses with an average power of 4.5 µW at a pulse repetition frequency of 60 MHz. The possibility of practical application of the obtained switches for the tasks of terahertz spectroscopy of LED’s heterostructures is shown |
| Доп. сведения: | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340580 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.