Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340580Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бурмистров, Е. Р. | |
| dc.contributor.author | Авакянц, Л. П. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T14:40:07Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T14:40:07Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 47-49. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340580 | - |
| dc.description | Секция 1. Процессы взаимодействия излучения и плазмы с твердым телом = Section 1. Processes of Radiation and Plasma Interaction with Solids | |
| dc.description.abstract | Предложен материал в виде многослойной структуры на основе низкотемпературного LT-GaN, выращенного на сапфировых подложках с кристаллографическим направлением (0001)A для изготовления терагерцевых фотопроводящих антенн. Структуры содержат активные слои из InxGa1-xN/GaN, легированные атомами In. При мощности оптической накачки 57мВт и напряжении смещения 15 В фотопроводящая антенна на оптимизированной структуре {LT- InxGa1-xN/GaN:In} испускала терагерцевые импульсы со средней мощностью 4.5 мкВт при частоте следования импульсов 60МГц. Показана возможность практического применения полученных антенн для задач терагерцовой спектроскопии светодиодных гетероструктур | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Эффективные фотопроводящие терагерцевые антенны на основе GaN | |
| dc.title.alternative | Efficient Photoconductive Terahertz Switches on GaN / Burmistrov E.R., Avakyants L.P. | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A material in the form of a multilayer structure based on low-temperature LT-GaN grown on sapphire substrates with the (0001)A crystallographic direction for the manufacture of photoconductive terahertz switches is proposed. The structures contain active layers of InxGa1-xN/GaN doped with In atoms. With an optical pumping power of 57mW and a bias voltage of 15 V, the photoconductive switch on an optimized {LT-InxGa1-xN/GaN:In} structure emitted terahertz pulses with an average power of 4.5 µW at a pulse repetition frequency of 60 MHz. The possibility of practical application of the obtained switches for the tasks of terahertz spectroscopy of LED’s heterostructures is shown | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.