Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340577| Title: | Структура и широкополосное ИК-поглощение кремния, гипердопированного имплантацией селена с последующими термообработками |
| Other Titles: | Structure and Wide-Band Ir Absorption of Silicon Hyperdoped by Selenium Implantation Followed by Heat Treatments / Komarov F.F., Kovalchuk N.S., Milchanin O.V., Parkhomenko I.N., Vlasukova L.A., Kharlovitch Y.V., Rogovaya I.S. |
| Authors: | Комаров, Ф. Ф. Ковальчук, Н. С. Мильчанин, О. В. Пархоменко, И. Н. Власукова, Л. А. Харлович, Ю. В. Роговая, И. С. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 265-268. |
| Abstract: | Сверхпересыщенные селеном слои кремния являются перспективным материалом для изготовления эффективных широкополосных фотоприемников и солнечных элементов со встроенной промежуточной подзоной в запрещенной зоне кремния. Гипердопированные селеном слои кремния на кремнии получены ионной имплантацией Se с последующими тремя типами равновесной термообработки и с использованием импульсного лазерного отжига (ИЛО). Результаты исследований свидетельствуют о том, что большая часть атомов Se в узлах решетки кремниевой матрицы после равновесных термообработок находится в электрически не активных состояниях. Такой эффект можно объяснить формированием большого количества нейтральных комплексов атомов селена, когда они встраиваются в соседние узлы кремниевой решетки и образуют ковалентные связи друг с другом |
| Abstract (in another language): | Selenium supersaturated silicon layers are a promising material for the fabrication of efficient broadband photodetectors and solar cells with an embedded intermediate subzone in the silicon forbidden zone. Selenium hyperdoped silicon layers were obtained by Se ion implantation followed by three types of equilibrium heat treatment and using pulsed laser annealing (PLA). The results of the studies indicate that most of the Se atoms in the sites of the silicon matrix lattice are in electrically inactive states after equilibrium heat treatments. This effect can be explained by the formation of a large number of neutral complexes of selenium atoms, when they are embedded in neighboring sites of the silicon lattice and form covalent bonds with each other |
| Description: | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation Influence on the Structure and Properties of Materials |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340577 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 265-268.pdf | 152,05 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.