Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340544| Title: | Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов с геттером, созданным ионной имплантацией бора |
| Other Titles: | Electrophysical Parameters of Pin Photodiodes with a Getter Created by Ion Implantation of Boron / Odzaev V.B., Pyatlitski A.N., Prosolovich V.S., Shestovsky D.V., Yavid V.Yu., Yankovsky Y.N. |
| Authors: | Оджаев, В. Б. Петлицкий, А. Н. Просолович, В. С. Шестовский, Д. В. Явид, В. Ю. Янковский, Ю. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 169-171. |
| Abstract: | Исследованы вольт-амперные характеристики p-i-n-фотодиодов, содержащих геттер, сфомированный имплантацией ионов бора на обратной стороне кремниевой пластины. Параллельно исследовались контрольные образцы, прошедшие все этапы технологического процесса изготовления приборов за исключением ионной имплантации бора для создания геттера. Показано, что формирование геттера посредством имплантации B+ в обратную сторону пластины с энергией 60 кэВ и дозой 1x10 16 см-2 с последующими преципитирующим отжигом при 850 °С, 30 мин. и диффузионном отжиге при 1150 °С, 240 мин позволяет увеличить напряжение лавинного пробоя p-i-n-фотодиодов и снизить величину обратного темнового тока в ~3 раза. Это обусловлено геттерированием технологических примесей, создающих глубокие генерационно-рекомбинационные центры и определяющие величину обратного темнового тока p-i-n-фотодиодов. Повышение температуры диффузионного отжига до 1200 °С приводит как в исследуемых, так и контрольных образцах к формированию широкой предпробойной области с плавно нарастающей величиной обратного тока вследствие распада микродефектов, сопровождающимся освобождением технологических примесей О и С. Емкости сформированного таким образом геттера недостаточно для их инактивации |
| Abstract (in another language): | The volt-ampere characteristics of p-i-n photodiodes with containing a getter formed by implantation of boron ions on the reverse side of the plate are studied. P-i-n photodiodes were manufactured on silicon wafers of p-type conductivity orientation (100) with a resistivity of 1000 ohms cm, grown by the method of sigel-free zone melting. The getter was formed by ion implantation of B+ with an energy of 60 keV into the nonplanar side of the plates. Boron was implanted in doses 5x1015-1x1016 cm-2, precipitation heat treatment was carried out at 850 ° C, 30 minutes, diffusion distillation - at 1150 ° C or 1200 ° C for 240 minutes. In parallel, control samples were studied that had passed all stages of the technological process of manufacturing devices, with the exception of ion implantation of boron to create a getter. It is shown that the formation of a getter by implantation of B+ in the reverse side of the plate at a dose of 1x1016 cm-2 followed by precipitating annealing at 850 °With diffusion annealing at 1150 ° C, it allows to increase the avalanche breakdown voltage of p-i-n photodiodes and reduce the value of the reverse dark current by ~ 3 times. This is due to the gettering of technological impurities that create deep generation-recombination centers that determine the magnitude of the reverse current of the p-i-n photodiodes. An increase in the temperature of diffusion annealing to 1200 ° C leads, both in the studied and control samples, to the formation of a wide pre-trial area with a smoothly increasing reverse current due to the decomposition of microdefects, accompanied by the release of technological impurities O and C. The capacity of the getter formed in this way is insufficient for their inactivation |
| Description: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340544 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Sponsorship: | Работа выполнена при финансовой поддержке БРФФИ, договор № Ф25УЗБ-067 от 05.03.2025. |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 169-171.pdf | 120,25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.