Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340538| Title: | Электрические и гальваномагнитные свойства гетероэпитаксиальных пленок InSb после воздействия ионов Kr с энергией 145 МэВ |
| Other Titles: | Electrical and Galvanomagnetic Properties of InSb Heteroepitaxial Films after Exposure to Kr Ions with an Energy of 145 MeV / Kuleshov A.K., Uglov V.V., Rusalsky D.P., Mihasev R.N. |
| Authors: | Кулешов, A. K. Углов, В. В. Русальский, Д. П. Михасев, Р. Н. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2025 |
| Publisher: | Минск : БГУ |
| Citation: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 150-153. |
| Abstract: | В работе изучено воздействие облучения ионами криптона с энергией 145 МэВ с флюенсами в интервале значений от 10 12 Kr+/см2 до 10 13 Kr/см2 на изменение электрических и гальваномагнитных свойств гетероэпитаксиальных пленок антимонида индия (100) на подложках арсенида галлия. Установлено, что при увеличении значения флюенсов ионов криптона уменьшается подвижность носителей, значительно увеличивается удельное сопротивление и постоянная Холла. Максимальное изменение электрофизических параметров пленки проявляется при флюенсе ионов криптона 10 12см-2. При более высоких флюенсах облучения значение постоянной Холла близко к исходному. Предполагается, что наблюдаемые экспериментальные зависимости свойств пленки определяются скоростями создания дефектов акцепторного и донорного типа, связанных с плотностью создания трековых разупорядоченных областей от значений флюенсов ионов криптона |
| Abstract (in another language): | The work studies the effect of irradiation with krypton ions with an energy of 145 MeV with fluences in the range of values from 10 12 Kr+/cm2 to 10 13 Kr/cm2 on the change in the electrical and galvanomagnetic properties of heteroepitaxial films of indium antimonide (100) on gallium arsenide substrates. It has been established that with an increase in the krypton ion fluence, the carrier mobility decreases, and the specific resistance and Hall constant increase significantly. The maximum change in the electrophysical parameters of the film is observed at a krypton ion fluence of 10 12 cm-2. At higher irradiation fluences, the Hall constant value is close to the initial value. It is assumed that the dynamics of acceptor and donor type defects creation at a fluence of 10 12 cm-2 is shifted towards the creation of a significant concentration of acceptor type defects. An increase in fluence leads to a decrease in the dominance of acceptor type defects due to an increase in the concentration of donor type defects accompanied by an increase in the number of track disordered regions |
| Description: | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids |
| URI: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340538 |
| ISSN: | 2663-9939 (print) 2706-9060 (online) |
| Sponsorship: | Исследование выполнено в рамках финансирования государственного научного задания Республики Беларусь «Радиационно-стойкие гетероэпитаксиальные структуры антимонида индия на подложках арсенида галлия» (1.3.2). |
| Licence: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Appears in Collections: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 150-153.pdf | 150,32 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.